光纖預(yù)制棒

技術(shù)特點(diǎn)

火焰水解法制備高純度合成石英

在潔凈廠房內(nèi)，將高規(guī)格四氯化硅（SiCl₄）在氫氧焰中水解生成亞微米二氧化硅（SiO₂）顆粒，一個(gè)或者

多個(gè)用于反應(yīng)地噴燈將亞微米顆粒堆積成柱狀粉末體（soot），精確的火焰溫度控制和摻雜工藝實(shí)現(xiàn)柱體

徑向合軸向均勻的密度分布合預(yù)訂的折射率分布。

粉末體在氯氣（Cl2）合氦氣（He）的加熱爐內(nèi)被充分脫水除雜，然后燒結(jié)成高純度透明玻璃預(yù)制棒。

氣相軸向沉積工藝制備芯棒            

 軸向生長粉末體，燒結(jié)時(shí)無中心縮合孔，具備四大工藝中最低的羥基含量，可制備零水峰光纖；

氟摻雜工藝，降低芯層二氧化鍺含量, 具備更低的本征損耗

自主知識產(chǎn)權(quán)多噴燈技術(shù)，豐富折射率剖面設(shè)計(jì)，可制備G652，G657以及G655系列光纖。

外部氣相沉積工藝制備包層

高沉積速率，大尺寸。

延伸技術(shù)

 實(shí)現(xiàn)預(yù)制棒芯棒芯，包層直徑的精確控制，光纖幾何，光學(xué)指標(biāo)同一性更好。

產(chǎn)品種類

 具有滿足G. 652 D,G657A1, G657A2 以及G655拉絲生產(chǎn)的光纖預(yù)制棒系列。

關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)

具有不同平均外徑和有效長度的光纖預(yù)制棒，平均外徑從90～200mm, 有效長度從1000mm到3000mm；

光纖產(chǎn)品指標(biāo)達(dá)到并優(yōu)于ITU-T標(biāo)準(zhǔn)；

VAD芯棒技術(shù)使光纖在1383nm基本無附加吸收，達(dá)到零水峰光纖制作要求。